3.3.1. Оценка структуры
3.3.1. Оценка структуры источников по потенциальным картам.
Ряд характеристик электрического поля, описываемого потенциальными карта-
ми (амплитудным картированием ЭЭГ), могут нам подсказать, с каким источником
мы имеем дело. К ним прежде всего относятся: наличие экстремумов (максимумов
и минимумов), их число и самый максимальный по абсолютной величине из них-
расстояние между ближайшими экстремумами обратной полярности, а также гра-
диент, то есть крутизна спада поля от экстремумов.
По картине потенциального поля можно сказать, дипольного типа источник или
нет, и определить число возможных источников, образующих это потенциальное поле.
Повторим основные причины, по которым нас в первую очередь будут интере-
совать источники дипольного типа:
— Диполь — это основной элемент в теории электрического поля- многие слож-
ные источники сводятся к диполям при их измерении на достаточно боль-
шом расстоянии (Фейнман с соавт., 1966).
— Простейшие нейрональные элементы имеют по своей природе дипольный
характер.
— Диполь является математической аппроксимацией многих физиологических ис-
точников, так же как спектральная когерентность и другие математические ме-
тоды являются аппроксимацией реальных свойств биосигналов. В этом смысле
они все являются некоторым «эквивалентным описанием» реальных событий.
— Многие эмпирические измерения электрических и магнитных полей близки
к тому, что генерируется различными диполями.
— Возможность получения численного решения для прямой задачи и прибли-
жения к решению обратной задачи электроэнцефалографии (Hosek et al.,
1978- Darcey et al., 1980).
Чем характеризуется потенциальное поле одиночного диполя и от чего оно зави-
сит? Диполь — это точечный источник тока, размеры которого много меньше рас-
стояний до точек измерений (Фейнман с соавт., 1966). Диполь имеет два полюса,
положительный и отрицательный, и от полюсов перпендикулярно линиям тока
располагаются соответственно позитивные и негативные потенциальные линии
(рис. 3.3.А). Таким образом, для дипольного источника характерно наличие двух
экстремумов разного знака в картине распределения потенциалов и потенциально-
го поля. Однако, в зависимости от глубины расположения дипольного источника
и его ориентации, распределение этих потенциалов и проявление экстремумов бу-
дет различным. На рис. 3.3.Б показаны примеры поверхностного распределения
потенциалов спайков при их референциальном отведении для диполей различной
локализации и ориентации. Для поверхностного радиального источника, ориенти-
рованного перпендикулярно к поверхности, имеется градиент спайков с максиму-
мом непосредственно над негативным концом диполя (а).
см.далее